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	掺碲InSb单晶的垂直温度梯度凝固生长法研究; Vertical Gradient Freeze Growth of Te-Doped InSb Single Crystal
	康俊勇 ; 黄启圣
	1996
关键词	晶体生长 垂直梯度凝固法 掺碲InSb Ⅲ－Ⅴ族半导体 生长设备 生长条纹 碲杂质 crystal growth vertical gradient Freeze method Te-doped InSb Ⅲ -Ⅴ semicondu tor growth apparatus growth striations Te impurity
英文摘要	本工作成功地建立一套垂直温度梯度凝固晶体生长设备，并在无氢气的气氛下生长了掺碲InSb体单晶。通过霍尔效应、原子吸收谱和腐蚀等方法对掺碲InSb晶体中的缺陷在宏观、微尺度上的分布进行分析。研究结果表明，在宏观尺度上碲杂质沿生长方向的分布与准静态生长的溶质分布接近，在微尺度上缺陷分布均匀，无观察到生长条纹。; A vertical gradient Freeze growth apparatus successFully were set up and Te-doped InSb single crystals were grown under an atmosphere without hydrogen.By Hall eFFect, atomic absorption spectrochemical analysis, and etch, macro-and micro-scale distributions of deFects were analyzed.It was shown that the macro-scale distribution of Te impurity in the growth direction of the as-grown crystal is close to that of quasi-equilibrium growth crystal, and the micro-scale distributions of deFects were homogeneous with no growth striations in the as-grown crystals.; 国家自然科学基金;福建省自然科学基金
语种	zh_CN
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121446]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	康俊勇,黄启圣. 掺碲InSb单晶的垂直温度梯度凝固生长法研究, Vertical Gradient Freeze Growth of Te-Doped InSb Single Crystal[J],1996.
APA	康俊勇,&黄启圣.(1996).掺碲InSb单晶的垂直温度梯度凝固生长法研究..
MLA	康俊勇,et al."掺碲InSb单晶的垂直温度梯度凝固生长法研究".(1996).

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