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	物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化; Optimization of Phosphorus Gettering Technology on the Multicrystalline Silicon Wafer Purified by Physical Metallurgical Process
	武智平 ; 潘淼 ; 庞爱锁 ; 李艳华 ; 陈朝
	2011-10
关键词	物理冶金法 多晶硅 少子寿命 磷吸杂 physical metallurgy process multicrystalline silicon minority carrier lifetime P gettering
英文摘要	【中文摘要】 对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果,节省了太阳电池制备的时间和成本。 【英文摘要】 Phosphorus(P) gettering experiments were carried out to study multicrystalline silicon wafers purified by physical metallurgy method.It is found that the best results of P gettering was achieved at 950 ℃ for 4 hours.The mechanism for P gettering is analysed and discussed.Combined the texturing process with removing the gettering layer,a better result can be obtained,saveing time and cost for the fabrication of solar cells.; 国家自然科学基金项目(61076056);福建省重大专项资助项目(2007HZ005-2)
语种	中文
出版者	《半导体光电》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/12660]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	武智平,潘淼,庞爱锁,等. 物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化, Optimization of Phosphorus Gettering Technology on the Multicrystalline Silicon Wafer Purified by Physical Metallurgical Process[J],2011.
APA	武智平,潘淼,庞爱锁,李艳华,&陈朝.(2011).物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化..
MLA	武智平,et al."物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化".(2011).

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