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	Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应; Valence-Band Offset at Si-GaAs(001) Interface and Its Strain-Induced Effects
	柯三黄 ; 黄美纯 ; 王仁智
	1996-03
英文摘要	【中文摘要】 本文应用平均键能理化和形变势方法对理想的Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）异质界面的价带不连续性进行了理论确定，全面分析了应变的静流体分量和单轴分量所起的作用，以及阳离子浅ｄ轨道的影响．得出了Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）系统的各价带能量不连续值与弹性应变的定量关系，并对结果进行了讨论． 【英文摘要】 Abstract This paper reports a theoretical determination of the valence-band offset at strained heterojunction Si-GaAs(001 )under idea situation combining the average bond energy theory and deformation potential method. The effect of the shallow d-orbitals in Ga atom on the valence-band offset is discussed. It is found that the offsets between the average valence-band energies and between the heavy hole bands are less affected by the elastic strain, however, the offsets between the topmost valence-band sta...; 福建省自然科学基金,国家自然科学基金
语种	中文
出版者	《半导体学报》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9701]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	柯三黄,黄美纯,王仁智. Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应, Valence-Band Offset at Si-GaAs(001) Interface and Its Strain-Induced Effects[J],1996.
APA	柯三黄,黄美纯,&王仁智.(1996).Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应..
MLA	柯三黄,et al."Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应".(1996).

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