| 原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用; Application of Cluster Expansion and Average-bond-energy Method to In_x.Ga_(1-x)As/GaAs System | |
| 柯三黄 ; 王仁智 ; 黄美纯 | |
| 1996-03 | |
| 关键词 | 价带偏移 应变层超晶格 混晶 valence-band offset Strained-layer superiattices Alloy |
| 英文摘要 | 【中文摘要】 把原子集团展开方法同平均键能方法相结合，建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法．应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应变状态下的价带偏移（△Ｅｖ）随合金组份的变化规律．结果表明，由于应变的引入，该系统的面△Ｅｖ～Ｘ表现出大的非线性，且这一关系受到应变状态的显著影响．通过改变应变状态可使其为Ⅰ型或Ⅱ型超晶格以及金属．部分结果与有关的实验值和理论结果相符合． 【英文摘要】 A theoretical method for determining the valence-band offset (VBO) at strained alloy type heterojunctions is presented by combining the cluster expansion method and average-bond-energy method. Adopting this method; the VBO at InxGa1-xAs/GaAs system as a function of the alloy composition x is determined for two different strain conditions. It is shown that this variaton is in large nonlinearity due to the introduction of the elastic strain; and is exceedingly modulated by the strain condition. Present resul...; 国家自然科学基金,福建省自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 出版者 | 《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9666]  |
| 专题 | 物理技术－已发表论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柯三黄,王仁智,黄美纯. 原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用, Application of Cluster Expansion and Average-bond-energy Method to In_x.Ga_(1-x)As/GaAs System[J],1996. |
| APA | 柯三黄,王仁智,&黄美纯.(1996).原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用.. |
| MLA | 柯三黄,et al."原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用".(1996). |
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