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	Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算; THEORETICAL STUDIES ON THE VALENCE-BAND OFFSETS AT Si/Ge HETEROJUNCTIONS
	王仁智 ; 郑永梅 ; 柯三黄 ; 黄美纯 ; 朱梓忠
	1996-06
关键词	Ge/Si异质结 价带偏移 理论计算 Ge/Si heterojunction Valence-band offsets Theoretical calculation
英文摘要	【中文摘要】 在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△E_v 值理论计算方法,该方法在以 Si 为衬底、以 Ge 为衬底和自由共度生长等3种不同应变情况的 Si/Ge 异质结价带偏移△E_v 值计算中,分别得到0.731eV、0.243eV 和0.521eV 的计算结果。 【英文摘要】 Based on an ab initio pseudopotentials band structure method,a theoretical approach of tak- ing the average-band energy as a energy reference is suggested to determine the valence-band offsets at Si/ Ge heterojunctions under three different strain conditions:using Si as a substrate,using Ge as a substrate and Si-layer,Ge-layer deforming freely.The results are 0.731eV,0.243eV and 0.521eV respectively,in good agreement with relevant experimental values.; 国家和福建省自然科学基金资助课题
语种	中文
出版者	《计算物理》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9661]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王仁智,郑永梅,柯三黄,等. Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算, THEORETICAL STUDIES ON THE VALENCE-BAND OFFSETS AT Si/Ge HETEROJUNCTIONS[J],1996.
APA	王仁智,郑永梅,柯三黄,黄美纯,&朱梓忠.(1996).Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算..
MLA	王仁智,et al."Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算".(1996).

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