Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算; THEORETICAL STUDIES ON THE VALENCE-BAND OFFSETS AT Si/Ge HETEROJUNCTIONS | |
王仁智 ; 郑永梅 ; 柯三黄 ; 黄美纯 ; 朱梓忠 | |
1996-06 | |
关键词 | Ge/Si异质结 价带偏移 理论计算 Ge/Si heterojunction Valence-band offsets Theoretical calculation |
英文摘要 | 【中文摘要】 在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△E_v 值理论计算方法,该方法在以 Si 为衬底、以 Ge 为衬底和自由共度生长等3种不同应变情况的 Si/Ge 异质结价带偏移△E_v 值计算中,分别得到0.731eV、0.243eV 和0.521eV 的计算结果。 【英文摘要】 Based on an ab initio pseudopotentials band structure method,a theoretical approach of tak- ing the average-band energy as a energy reference is suggested to determine the valence-band offsets at Si/ Ge heterojunctions under three different strain conditions:using Si as a substrate,using Ge as a substrate and Si-layer,Ge-layer deforming freely.The results are 0.731eV,0.243eV and 0.521eV respectively,in good agreement with relevant experimental values.; 国家和福建省自然科学基金资助课题 |
语种 | 中文 |
出版者 | 《计算物理》编辑部 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9661] ![]() |
专题 | 物理技术-已发表论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王仁智,郑永梅,柯三黄,等. Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算, THEORETICAL STUDIES ON THE VALENCE-BAND OFFSETS AT Si/Ge HETEROJUNCTIONS[J],1996. |
APA | 王仁智,郑永梅,柯三黄,黄美纯,&朱梓忠.(1996).Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算.. |
MLA | 王仁智,et al."Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算".(1996). |
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