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	应变超晶格(In_xGa_(1-x)As)_n/(GaAs)_n(001)的电子结构和光学性质; The Electronic and Optical Properties of the Strained Superlattices (In x Ga 1-x As) n /(GaAs) n (001)
	李开航 ; 黄美纯
	1999-03
关键词	光学性质 应变超晶格 紧束缚方法 Optical properties Strained superlattices Tight binding method
英文摘要	【中文摘要】 用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系，以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上，计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部，并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明，应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应． 【英文摘要】 The semi empirical tight binding model sp 3s * was used to calculate the band structure of the thin strained superlattices (In x Ga 1-x As) n /(GaAs) n (001). The band gap of strained (In 0.53 Ga 0.47 As) n /(GaAs) n as a function of layer number n is given out, and the dependence of the band gap of strained (In x Ga 1-x As) 12 /(GaAs) 12 on composition x is also presented.The imaginary parts of dielectric functions for the super...; 国家自然科学基金,厦门大学育苗基金
语种	中文
出版者	《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9618]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李开航,黄美纯. 应变超晶格(In_xGa_(1-x)As)_n/(GaAs)_n(001)的电子结构和光学性质, The Electronic and Optical Properties of the Strained Superlattices (In x Ga 1-x As) n /(GaAs) n (001)[J],1999.
APA	李开航,&黄美纯.(1999).应变超晶格(In_xGa_(1-x)As)_n/(GaAs)_n(001)的电子结构和光学性质..
MLA	李开航,et al."应变超晶格(In_xGa_(1-x)As)_n/(GaAs)_n(001)的电子结构和光学性质".(1999).

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