QQ客服 官方微博 反馈留言

	AlGaAs:Sn 混晶中的两类类DX中心; TWO DX-LIKE CENTERS IN Sn-DOPED AlGaAs ALLOY SEMICONDUCTORS
	肖细凤 ; 康俊勇
	2002-03
关键词	AlGaAs∶Sn 第一原理赝势法 类DX中心 ab initio calculations DX-like centers
英文摘要	【中文摘要】 在测得Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ:Ｓｎ混晶中两类类ＤＸ中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能．采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Ｓｎ施主杂质次近邻Ａｌ/Ｇａ原子的不同局域组分所引起的Ｓｎ杂质及其最近邻Ａｓ原子的不同晶格驰豫,是产生两类类ＤＸ中心能级精细结构的主要原因． 【英文摘要】 The corraspondent values of binding energy, lattices relaxation energy and optical ionization energy of two DX - like centers in Al0.26Ga0.74 As: Sn alloy semiconductors were deduced after their fine structures of capture barrier were obtained. The ab initio calculations show that fine structures of the two DX-like centers are mainly contributed to different local configurations of the second nearest Al/Ga atoms of Sn donor impurities caused by the alloy random effect.; 国家“863”计划(批准号715－010－0022);国家自然科学基金(批准号69976023);福建省自科学基金(批准号A0020001)以及教育部基金部分资助课题
语种	中文
出版者	《红外与毫米波学报》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/7676]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	肖细凤,康俊勇. AlGaAs:Sn 混晶中的两类类DX中心, TWO DX-LIKE CENTERS IN Sn-DOPED AlGaAs ALLOY SEMICONDUCTORS[J],2002.
APA	肖细凤,&康俊勇.(2002).AlGaAs:Sn 混晶中的两类类DX中心..
MLA	肖细凤,et al."AlGaAs:Sn 混晶中的两类类DX中心".(2002).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。