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	GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算; Ab initio calculation of the electronic structure of carbon and oxygen impurities in GaN
	沈耀文 ; 康俊勇
	2002-03
关键词	GaN 杂质能级 电子结构 impurity energy level electronic structure
英文摘要	【中文摘要】 用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法 (32个原子 ) ,对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数 (如原子球与“空球”的占空比 )在自洽条件下使Eg 的计算值 (3 2 3eV)接近实验值 (3 5eV) .然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg 中的相对位置 .模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置 ,包括其复合物 .计算结果表明 ,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN 、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致 .计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化 .计算了CN ON,CGa CN,CN OV 和CGa VGa,其中CN ON 分别具有深受主与浅施主的特征 ,是导致GaN黄光的一种可能的结构 . 【英文摘要】 Firstly we use the ab initio calculation with local density function-linear muffin tin orbital methods combined with a supercell(32atoms) to examine pure wurtzite GaN, and obtain the calculated E g value (3.23eV) for pure GaN close to that of experimental value by modifying the calculated parameter (for example, the proportion of atomic sphere and empty sphere). Then we examine the inpurity energy level by substituting the impurities for gallium or nitrogen or vacancy. We calculate the energy level of t...; 国家自然科学基金 (批准号 :69976023)资助的课题
语种	中文
出版者	《物理学报》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/7673]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	沈耀文,康俊勇. GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算, Ab initio calculation of the electronic structure of carbon and oxygen impurities in GaN[J],2002.
APA	沈耀文,&康俊勇.(2002).GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算..
MLA	沈耀文,et al."GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算".(2002).

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