QQ客服 官方微博 反馈留言

	UMG多晶硅片的少子寿命; THE MINORITY CARRIER LIFETIME of UMG POLYCRYSTALLINE SILICON WAFERS
	潘淼 ; 郑兰花 ; 武智平 ; 罗学涛 ; 陈文辉 ; 李锦堂 ; 陈朝
	2013-01-28
关键词	冶金法硅片 少子寿命 磷吸杂 热氧化 快速热处理 UMG silicon wafer minority carrier lifetime phosphorus gettering thermal oxidation rapid thermal annealing
英文摘要	利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的uMg硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4H;经热氧化处理后,少子寿命有所下降;氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30S。; The effect of phosphorus gettering,thermal oxidation and rapid thermal annealing(RTA) on the minority carrier lifetime of upgraded metallurgical grade(UMG) silicon wafers by microwave photo-conductive decay were investigated.Results show that the phosphorus gettering is very effective in improving the minority carrier lifetime of UMG silicon wafers,and the best effect of phosphorus gettering has been achieved at 950℃,4 hours.But the minority carrier lifetime decreased after thermal oxidation.In the case of RTA,the minority carrier lifetime of passivated UMG silicon wafers by SiNx is somewhat increase,the optimal conditions are 800℃,30 seconds.; 福建省重大科技专项专题(2007HZ0005-2); 国家自然科学基金(61076056); 福建省经贸委资助项目
语种	zh_CN
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/98412]
专题	材料学院－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	潘淼,郑兰花,武智平,等. UMG多晶硅片的少子寿命, THE MINORITY CARRIER LIFETIME of UMG POLYCRYSTALLINE SILICON WAFERS[J],2013.
APA	潘淼.,郑兰花.,武智平.,罗学涛.,陈文辉.,...&陈朝.(2013).UMG多晶硅片的少子寿命..
MLA	潘淼,et al."UMG多晶硅片的少子寿命".(2013).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。