化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究 | |
程璇 ; 郑玉峰 ; 林昌健 ; 薛茹 | |
刊名 | http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLKX199903004&dbname=CJFQ1999
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1999-09-20 | |
关键词 | 多孔硅 化学刻蚀 表面形貌 微观结构 |
英文摘要 | 本工作首先采用化学刻蚀法制备出各种特征的多孔硅,然后通过扫描电镜(SEM)技术,对多孔硅的表面形貌进行了表征,并分析了多孔硅表面微结构的形成过程 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55254] ![]() |
专题 | 材料学院-已发表论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程璇,郑玉峰,林昌健,等. 化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLKX199903004&dbname=CJFQ1999,1999. |
APA | 程璇,郑玉峰,林昌健,&薛茹.(1999).化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLKX199903004&dbname=CJFQ1999. |
MLA | 程璇,et al."化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLKX199903004&dbname=CJFQ1999 (1999). |
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