化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

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	化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究
	程璇 ; 郑玉峰 ; 林昌健 ; 薛茹
刊名	http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLKX199903004&dbname=CJFQ1999
	1999-09-20
关键词	多孔硅化学刻蚀表面形貌微观结构
英文摘要	本工作首先采用化学刻蚀法制备出各种特征的多孔硅，然后通过扫描电镜（ＳＥＭ）技术，对多孔硅的表面形貌进行了表征，并分析了多孔硅表面微结构的形成过程
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55254]
专题	材料学院－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	程璇,郑玉峰,林昌健,等. 化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLKX199903004&dbname=CJFQ1999,1999.
APA	程璇,郑玉峰,林昌健,&薛茹.(1999).化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLKX199903004&dbname=CJFQ1999.
MLA	程璇,et al."化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLKX199903004&dbname=CJFQ1999 (1999).