电沉积Bi_2Te_3基薄膜的电化学阻抗谱研究

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	电沉积Bi_2Te_3基薄膜的电化学阻抗谱研究
	林青含 ; 邱丽琴 ; 程璇 ; 周健
刊名	http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HXXB201210007&dbname=CJFQ2012
	2012-05-28
关键词	Bi2Te3 电化学交流阻抗电沉积
英文摘要	以不锈钢为基底,利用电化学沉积方法制备Bi2Te3基薄膜材料,并采用X射线衍射技术、电子探针微观分析等方法对薄膜进行结构和成分表征,通过电化学阻抗谱技术对不锈钢表面Bi2Te3的电化学沉积机理进行了初步探讨.结果表明Bi-Te和Bi-Te-Se体系具有相似的电化学沉积机理,即Bi3+和2HTeO+或H2SeO3首先被还原为Bi单质和Te或Se单质,然后Bi单质与Te或Se单质反应生成Bi2Te3基化合物,而Bi-Sb-Te体系中,2HTeO+首先被还原为Te单质,生成的Te再与Bi3+和Sb(III)反应生成Bi2Te3基化合物,三种体系的沉积都受电化学极化控制.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/15837]
专题	材料学院－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	林青含,邱丽琴,程璇,等. 电沉积Bi_2Te_3基薄膜的电化学阻抗谱研究[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HXXB201210007&dbname=CJFQ2012,2012.
APA	林青含,邱丽琴,程璇,&周健.(2012).电沉积Bi_2Te_3基薄膜的电化学阻抗谱研究.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HXXB201210007&dbname=CJFQ2012.
MLA	林青含,et al."电沉积Bi_2Te_3基薄膜的电化学阻抗谱研究".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HXXB201210007&dbname=CJFQ2012 (2012).