疏水性有序介孔氧化硅薄膜的制备

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	疏水性有序介孔氧化硅薄膜的制备
	彭迟香 ; 吴国友 ; 余煜玺 ; 程璇
刊名	http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HXXB201106010&dbname=CJFQ2011
	2011-03-28
关键词	有序介孔氧化硅薄膜表面修饰
英文摘要	采用溶胶-凝胶技术并结合蒸发诱导自组装工艺,以三嵌段共聚物EO20PO70EO20(P123)为模板剂,使用浸渍提拉法制备了有序介孔氧化硅薄膜,并使用不同的表面修饰剂对薄膜进行表面处理,制备了疏水性有序介孔氧化硅薄膜.利用FT-IR、小角XRD、HRTEM分别表征薄膜的化学物种和孔结构,探讨了热处理温度和老化时间对薄膜介孔结构的影响,通过接触角测试研究薄膜的疏水性能,考察了修饰剂种类、修饰浓度和修饰时间对薄膜疏水性的影响,结果表明所制备的薄膜为高度有序的介孔氧化硅薄膜,孔径大小约为8 nm;表面修饰对薄膜的有序性有一定影响,经三甲基氯硅烷(TMCS)和γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-550)修饰后的薄膜具有很好的疏水性能,接触角分别为112°和96°;修饰后薄膜的水汽稳定性良好,仍能保持有序介孔结构,孔径达7.5 nm,接触角达93°.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/15776]
专题	材料学院－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	彭迟香,吴国友,余煜玺,等. 疏水性有序介孔氧化硅薄膜的制备[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HXXB201106010&dbname=CJFQ2011,2011.
APA	彭迟香,吴国友,余煜玺,&程璇.(2011).疏水性有序介孔氧化硅薄膜的制备.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HXXB201106010&dbname=CJFQ2011.
MLA	彭迟香,et al."疏水性有序介孔氧化硅薄膜的制备".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HXXB201106010&dbname=CJFQ2011 (2011).