点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响

CORC > 厦门大学 > 材料学院－已发表论文

	点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响
	吉川 ; 徐进
刊名	http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB201223052&dbname=CJFQ2012
	2012-12-08
关键词	点缺陷重掺硼外延片铜沉淀
英文摘要	系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气氛下进行1250℃/60 s快速热处理,随后在750℃/8 h+1050℃/16 h常规热处理过程中引入铜沾污.通过腐蚀结合光学显微镜研究发现,以O_2作为保护气氛时,p~+衬底中的沉淀密度较小,以Ar和N_2作为保护气氛时,重掺硼p~+衬底中生成了高密度的沉淀,且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成.研究认为,以O_2作为保护气时引入的自间隙硅原子(Si_I)可以抑制沉淀的形成,而以Ar和N_2作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成,这是导致此差异的主要原因.另外,研究还发现,p/p~+外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质,从而保持了外延层的洁净.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/15758]
专题	材料学院－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	吉川,徐进. 点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB201223052&dbname=CJFQ2012,2012.
APA	吉川,&徐进.(2012).点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB201223052&dbname=CJFQ2012.
MLA	吉川,et al."点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB201223052&dbname=CJFQ2012 (2012).