冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究

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	冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究
	郑兰花 ; 徐进 ; 潘淼 ; 陈朝 ; 史珺
刊名	http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG201206016&dbname=CJFQ2012
	2012-12-15
关键词	磷吸杂硼吸杂 n型多晶硅少子寿命
英文摘要	研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后,硅片电阻率从0.2Ω.cm提高到0.5Ω.cm。结果表明,两种吸杂工艺使得硅片表面形成的重磷、重硼扩散层对金属杂质有较好的吸杂作用,从而减少载流子的复合中心,改善多晶硅片的性能。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/15755]
专题	材料学院－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郑兰花,徐进,潘淼,等. 冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG201206016&dbname=CJFQ2012,2012.
APA	郑兰花,徐进,潘淼,陈朝,&史珺.(2012).冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG201206016&dbname=CJFQ2012.
MLA	郑兰花,et al."冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG201206016&dbname=CJFQ2012 (2012).