光折变晶体的光电导及陷阱密度

CORC > 深圳大学

	光折变晶体的光电导及陷阱密度
	胡居广 ; 林晓东 ; 阮双琛
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDJY200502010&dbname=CJFQ2005
	2012-04-27 ; 2012-04-27
关键词	光折变晶体光电导全息光栅陷阱密度
中文摘要	通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体Cu:KNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10A·m-2。实验得到光电导与入射光强是指数约为b=0.8的亚线性关系,从而得到满陷阱与空陷阱之密度比的定量表示式为(CCu+/CCu2+)=αIb-1。在观测的波长范围内,b随着波长缩短而增大。
语种	中文
其他责任者	深圳大学师范学院物理系 ; 深圳大学工程技术学院广东深圳 518060 ; 广东深圳 518060
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/244041/2455]
专题	深圳大学
推荐引用方式 GB/T 7714	胡居广,林晓东,阮双琛. 光折变晶体的光电导及陷阱密度[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDJY200502010&dbname=CJFQ2005,2012, 2012.
APA	胡居广,林晓东,&阮双琛.(2012).光折变晶体的光电导及陷阱密度.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDJY200502010&dbname=CJFQ2005.
MLA	胡居广,et al."光折变晶体的光电导及陷阱密度".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDJY200502010&dbname=CJFQ2005 (2012).