氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)

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	氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)
	郑瑞生 ; 武红磊
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SZDL201004016&dbname=CJFQ2010
	2012-04-27 ; 2012-04-27
关键词	半导体材料晶体生长氮化铝单晶体宽禁带半导体物理气相沉积
中文摘要	评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面.
语种	中文
其他责任者	深圳大学光电工程学院
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/244041/1518]
专题	深圳大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郑瑞生,武红磊. 氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SZDL201004016&dbname=CJFQ2010,2012, 2012.
APA	郑瑞生,&武红磊.(2012).氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文).http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SZDL201004016&dbname=CJFQ2010.
MLA	郑瑞生,et al."氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SZDL201004016&dbname=CJFQ2010 (2012).