Si深刻蚀光助电化学方法的研究

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	Si深刻蚀光助电化学方法的研究
	雷耀虎 ; 郭金川 ; 赵志刚 ; 牛憨笨
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTJ201006003&dbname=CJFQ2010
	2012-04-26 ; 2012-04-26
关键词	光照电化学刻蚀扩散 n型硅
中文摘要	光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一。由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视。从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论和实验上研究了光照对电化学刻蚀过程和结构形貌的影响。着重分析了光照红移带来的正面效果和负面影响。理论分析和实验均证明,采用提出的修正模型,可以方便地实现对厚度为400～500μm的Si片深刻蚀,并可在刻蚀深度为150μm的情况下,实现壁厚在0.2μm到数微米的控制,Si片刻蚀面的直径可达5英寸(125 mm)或更大。为该技术的实现提供了修正的理论模型和实用化的工艺技术。
语种	中文
其他责任者	深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室 ; 华中科技大学光电子科学与工程学院
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/244041/45]
专题	深圳大学
推荐引用方式 GB/T 7714	雷耀虎,郭金川,赵志刚,等. Si深刻蚀光助电化学方法的研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTJ201006003&dbname=CJFQ2010,2012, 2012.
APA	雷耀虎,郭金川,赵志刚,&牛憨笨.(2012).Si深刻蚀光助电化学方法的研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTJ201006003&dbname=CJFQ2010.
MLA	雷耀虎,et al."Si深刻蚀光助电化学方法的研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTJ201006003&dbname=CJFQ2010 (2012).