片状晶Ti_3SiC_2的制备及表征

CORC > 西北工业大学

	片状晶Ti_3SiC_2的制备及表征
	李世波 ; 张立同 ; 谢建新
	2012-04-24 ; 2012-04-24
会议名称	中国北京 2002年中国材料研讨会
关键词	Ti_3SiC_2 热压烧结颗粒形貌片晶结构晶面生长速率
中文摘要	六方晶Ti_3SiC_2是由Si原子层被Ti_6C八面体连接起来构成的层状晶体结构。这种结构赋予它像石墨一样具有润滑性和可加工性;它同时结合了金属和陶瓷的许多优良性能,具有较好的导电性和导热性、高温延性、抗热震、高强度以及抗氧化等。采用TiH_2,Si,C粉料按照3:1.3:2摩尔配比,在1380℃×30 MPa×2 h和1500℃×1 h的条件下,热压烧结获得了致密的Ti_3SiC_2陶瓷。利用X射线衍射确定了材料的物相组成;利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察了微观结构和颗粒形貌。烧结后样品中Ti_3SiC_2颗粒为片状形貌。在透射电镜下,观察到了理想的六方片状晶结构。分析认为六方晶Ti_DSiC_2(101)、(002)以及(100)三个面的生长速率决定着其最终结构形貌。当(100)面生长较快,(002)和(101)面生长相对较慢时,颗粒将发育成片状晶结构。
会议录	冶金工业出版社 ; http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGCZ200210002074&dbname=CPFD2002
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/899]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李世波,张立同,谢建新. 片状晶Ti_3SiC_2的制备及表征[C]. 见:中国北京 2002年中国材料研讨会.