光电子晶体材料及其Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长技术(摘要)

CORC > 西北工业大学

	光电子晶体材料及其Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长技术(摘要)
	介万奇
	2012-04-24 ; 2012-04-24
会议名称	中国天津 2008全国功能材料科技与产业高层论坛
关键词	晶体材料光电子材料化合物介绍流动效应晶体生长需求分析结晶质量发展概况生长过程
中文摘要	<正>本报告将从光电子技术发展对光电子晶体材料的需求分析入手,介绍光电子材料的分类及其主要光电子材料的发展概况。其次,结合本人的研究工作,重点介绍典型Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料(特别是CdZnTe晶体材料)的发展情况及其晶体生长技术。分析晶体生长过程中的传热、传质及其熔体流动效应。通过对传输过程的控制实现对晶体结晶质量、成分分布与偏析、晶体结构缺陷控制的途径和方法。最后介绍了本课题组在典型Ⅱ-Ⅵ族化合物的晶体生长技术开发方面的研究成果。
会议录	国家仪表功能材料工程技术研究中心、中国仪器仪表学会仪表材料学会、重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 ; http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200810001019&dbname=CPFD2009
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/887]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	介万奇. 光电子晶体材料及其Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长技术(摘要)[C]. 见:中国天津 2008全国功能材料科技与产业高层论坛.