Cd_(0．9)Zn_(0．1)Te晶体中的In掺杂研究

CORC > 西北工业大学

	Cd_(0．9)Zn_(0．1)Te晶体中的In掺杂研究
	王涛 ; 徐亚东 ; 刘伟华 ; 曾冬梅 ; 杨戈 ; 介万奇
	2012-04-24 ; 2012-04-24
会议名称	中国湖北武汉第六届中国功能材料及其应用学术会议
关键词	Cd_(0．9)Zn_(0．1)Te 晶体 In 掺杂自补偿 ICP-Ms PL 谱
中文摘要	采用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)和光致发光的手段研究了 In 在 Cd_(0．9)Zn_(0．1)Te 晶体中的分布及存在状态．浓度测试结果表明,In 的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化．对高电阻和低电阻 In 掺杂 Cd_(0．9)Zn_(0．1)Te 晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明,高电阻晶体 D~0X 峰存在两个热激活能2．8meV 和21meV,低电阻晶体 A~0X 热激活能为3．4meV．分析认为 In 掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。
会议录	国家仪表功能材料工程技术研究中心、中国仪器仪表学会仪表材料学会、重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 ; http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200711001071&dbname=CPFD2008
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/885]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王涛,徐亚东,刘伟华,等. Cd_(0．9)Zn_(0．1)Te晶体中的In掺杂研究[C]. 见:中国湖北武汉第六届中国功能材料及其应用学术会议.