Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的In掺杂研究 | |
王涛 ; 徐亚东 ; 刘伟华 ; 曾冬梅 ; 杨戈 ; 介万奇 | |
2012-04-24 ; 2012-04-24 | |
会议名称 | 中国湖北武汉 第六届中国功能材料及其应用学术会议 |
关键词 | Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te 晶体 In 掺杂 自补偿 ICP-Ms PL 谱 |
中文摘要 | 采用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)和光致发光的手段研究了 In 在 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te 晶体中的分布及存在状态.浓度测试结果表明,In 的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0.19到0.5之间变化.对高电阻和低电阻 In 掺杂 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te 晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明,高电阻晶体 D~0X 峰存在两个热激活能2.8meV 和21meV,低电阻晶体 A~0X 热激活能为3.4meV.分析认为 In 掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。 |
会议录 | 国家仪表功能材料工程技术研究中心、中国仪器仪表学会仪表材料学会、重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部
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语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/885] ![]() |
专题 | 西北工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王涛,徐亚东,刘伟华,等. Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的In掺杂研究[C]. 见:中国湖北武汉 第六届中国功能材料及其应用学术会议. |
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