In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响

CORC > 西北工业大学

	In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响
	张继军 ; 王领航 ; 王涛 ; 曾冬梅 ; 介万奇
	2012-04-24 ; 2012-04-24
会议名称	中国湖北武汉第六届中国功能材料及其应用学术会议
关键词	CdMnTe In 掺杂 X 射线衍射电阻率红外透过率
中文摘要	采用垂直 Bridgman 法生长了 In 掺杂 Cd_(0．8)Mn_(0．2)Te 晶体(CdMnTe：In)和本征的 Cd_(0．8)Mn_(0．2)Te 晶体(CdMnTe)．X 射线粉末衍射、X 射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明,所生长晶体均为立方闪锌矿结构,半峰宽为40～80arc sec,位错密度为10~4～10~5cm~(-2), 结晶质量良好．In 掺杂不影响晶体的结构和结晶质量．电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试表明,CdMnTe：In 晶体的电阻率为1～3×10~9Ω·cm,与 CdMnTe 晶体相比上升了3个数量级．近红外光透过光谱(IR transmission)研究发现 In 掺杂后 CdMnTe 晶体红外透过率降低,在波数范围 4000～1000cm~(-1),CdMnTe 晶体红外透过率为51．2％～ 56．4％,而 CdMnTe：In 的红外透光率为15．4％～21．6％．
会议录	国家仪表功能材料工程技术研究中心、中国仪器仪表学会仪表材料学会、重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 ; http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200711003027&dbname=CPFD2008
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/883]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张继军,王领航,王涛,等. In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响[C]. 见:中国湖北武汉第六届中国功能材料及其应用学术会议.