高纯HgI_2多晶粉末的合成及表征 | |
吴丽 ; 介万奇 ; 李文渭 ; 李焕勇 | |
2012-04-24 ; 2012-04-24 | |
会议名称 | 中国湖南长沙 第十届全国青年材料科学技术研讨会 |
关键词 | HgI2多晶 两温区法 X射线衍射 差式扫描量热 |
中文摘要 | 以高纯Hg和I2单质为原料,采用两温区合成法制备碘化汞(HgI2)多晶。用X射线衍射方法对合成的HgI2晶体结构进行测定,用电感耦合等离子体发射光谱仪分析晶体的纯度,用扫描电子显微镜-X射线能量色散分析仪对其化学计量比进行分析,并结合差式扫描量热仪对其相变行为进行分析。研究结果表明,用两温区合成法制备出的HgI2为四方相的α-HgI2多晶粉末,产物的纯度达99.999 287 6%、化学计量比为1:2.028。 |
会议录 | 科学出版社
![]() ![]() |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/880] ![]() |
专题 | 西北工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴丽,介万奇,李文渭,等. 高纯HgI_2多晶粉末的合成及表征[C]. 见:中国湖南长沙 第十届全国青年材料科学技术研讨会. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论