高阻值Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的退火处理

CORC > 西北工业大学

	高阻值Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的退火处理
	李国强 ; 介万奇 ; 谷智
	2012-04-24 ; 2012-04-24
会议名称	中国北京 2002年中国材料研讨会
关键词	Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te 退火结晶质量红外透过率电阻率
中文摘要	采用Cd_(1-x)Zn_x作退火源,对Bridgman法生长获得的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片进行了退火处理。测试结果表明,退火后,晶片的成分分布更均匀,结晶质量得到提高,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te的值。从缺陷和杂质的角度,本文分析了晶片性能优化的原因。
会议录	冶金工业出版社 ; http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGCZ200210002173&dbname=CPFD2002
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/878]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李国强,介万奇,谷智. 高阻值Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的退火处理[C]. 见:中国北京 2002年中国材料研讨会.