CdZnTe晶体中的结构缺陷

CORC > 西北工业大学

	CdZnTe晶体中的结构缺陷
	介万奇
	2012-04-24 ; 2012-04-24
会议名称	中国湖南长沙第七届中国功能材料及其应用学术会议
关键词	CdZnTe 结构缺陷晶体材料缺陷的载流子输运控制原理及方法电学性能光电子技术沉淀相位错点缺陷反位形成机理影响规律定量表征空位重要应用研究工作结构参数化合物
中文摘要	CdZnTe晶体是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的典型代表之一,在光电子技术领域具有重要应用背景。CdZnTe的性能在很大程度上取决于其载流子输运特性,而该特性目前主要受制于材料的结构缺陷。CdZnTe晶体中的主要结构缺陷包括,以Cd空位和Te反位为代表的点缺陷、位错和Te沉淀相。本文将结合作者所在课题组的研究工作,对这些缺陷的结构、分布等结构参数的定量表征和分析方法,缺陷的形成机理,不同缺陷的交互作用与演变,缺陷对电学性能的影响规律,以及缺陷的控制原理及方法等进行分析。同时,期望该研究工作对其它Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,乃至更为广泛的化合物晶体材料的研究有所帮助。
会议录	国家仪表功能材料工程技术研究中心、中国仪器仪表学会仪表材料学会、重庆仪表材料研究所、《功能材料》期刊社 ; http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL201010007268&dbname=CPFD2010
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/874]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	介万奇. CdZnTe晶体中的结构缺陷[C]. 见:中国湖南长沙第七届中国功能材料及其应用学术会议.