CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响 | |
吴守军 ; 成来飞 ; 张立同 ; 徐永东 ; 陈照峰 | |
刊名 | http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200501041&dbname=CJFQ2005 |
2012-04-24 ; 2012-04-24 | |
关键词 | C/SiC复合材料 涂层 氧化 缺陷 |
中文摘要 | 采用两种不同沉积速度的等温减压化学气相沉积在3D C/SiC上制备了多层CVDSiC涂层.利用扫描电镜对涂层表面和断面进行显微分析,考察了涂层在1300℃下进行恒温氧化的防护效果.慢速减压化学气相沉积能够对多层CVD SiC涂层的涂层间隙缺陷实现有效控制,所制备的多层涂层可以消除涂层间隙,连贯的结合为一整体,能显著提高涂层防护效果,材料在1300℃空气中氧化30h后的失重率可控制在1%以下. |
语种 | 中文 |
出版者 | 无机材料学报 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/865] |
专题 | 西北工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴守军,成来飞,张立同,等. CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200501041&dbname=CJFQ2005,2012, 2012. |
APA | 吴守军,成来飞,张立同,徐永东,&陈照峰.(2012).CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200501041&dbname=CJFQ2005. |
MLA | 吴守军,et al."CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200501041&dbname=CJFQ2005 (2012). |
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