CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响

CORC > 西北工业大学

	CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响
	吴守军 ; 成来飞 ; 张立同 ; 徐永东 ; 陈照峰
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200501041&dbname=CJFQ2005
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	C/SiC复合材料涂层氧化缺陷
中文摘要	采用两种不同沉积速度的等温减压化学气相沉积在3D C／SiC上制备了多层CVDSiC涂层.利用扫描电镜对涂层表面和断面进行显微分析,考察了涂层在1300℃下进行恒温氧化的防护效果.慢速减压化学气相沉积能够对多层CVD SiC涂层的涂层间隙缺陷实现有效控制,所制备的多层涂层可以消除涂层间隙,连贯的结合为一整体,能显著提高涂层防护效果,材料在1300℃空气中氧化30h后的失重率可控制在1％以下.
语种	中文
出版者	无机材料学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/602]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	吴守军,成来飞,张立同,等. CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200501041&dbname=CJFQ2005,2012, 2012.
APA	吴守军,成来飞,张立同,徐永东,&陈照峰.(2012).CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200501041&dbname=CJFQ2005.
MLA	吴守军,et al."CVDSiC涂层对3DC/SiC氧化行为的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200501041&dbname=CJFQ2005 (2012).