MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析

CORC > 西北工业大学

	MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析
	华云峰 ; 陈照峰 ; 张立同 ; 成来飞
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=COSE20050100V&dbname=CJFQ2005
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	铱金属有机物化学气相沉积先驱体基片
中文摘要	在不通入活性气体的条件下,采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜。结果表明:低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变,其C-H和C-O键断裂活性升高,导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质;高于220℃加热先驱体和550℃沉积,可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜。
语种	中文
出版者	稀有金属材料与工程
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/601]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	华云峰,陈照峰,张立同,等. MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=COSE20050100V&dbname=CJFQ2005,2012, 2012.
APA	华云峰,陈照峰,张立同,&成来飞.(2012).MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=COSE20050100V&dbname=CJFQ2005.
MLA	华云峰,et al."MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=COSE20050100V&dbname=CJFQ2005 (2012).