聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究

CORC > 西北工业大学

	聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究
	姚荣迁 ; 冯祖德 ; 余煜玺 ; 李思维 ; 陈立富 ; 张立同
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200809009&dbname=CJFQ2008
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	聚碳硅烷先驱体法碳化硅自由薄膜
中文摘要	以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,通过自行设计的喷膜板熔融纺出连续PCS自由薄膜,并对其进行氧化交联与高温裂解烧结可制得连续SiC自由薄膜。用扫描电镜分析薄膜表面和横断面的形貌,通过红外光谱(FTIR)分析氧化交联后薄膜的结构,通过拉曼光谱(Raman spectroscopy)、X射线衍射(XRD)与场发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行微观分析。结果表明,熔融纺膜与聚碳硅烷先驱体法相结合可制得均匀、致密的连续-βSiC自由薄膜,其厚度可通过调节喷膜板的喷膜口尺寸大小和纺膜速度进行控制,薄膜的厚度大约在10~30μm。
语种	中文
出版者	功能材料
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/562]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	姚荣迁,冯祖德,余煜玺,等. 聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200809009&dbname=CJFQ2008,2012, 2012.
APA	姚荣迁,冯祖德,余煜玺,李思维,陈立富,&张立同.(2012).聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200809009&dbname=CJFQ2008.
MLA	姚荣迁,et al."聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200809009&dbname=CJFQ2008 (2012).