垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析

CORC > 西北工业大学

	垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析
	刘俊成 ; 谷智 ; 介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CYJB200306014&dbname=CJFQ2003
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	材料科学基础学科晶体生长数值模拟组分偏析传热传质
中文摘要	模拟计算了半导体材料CdZnTe布里奇曼法单晶体生长过程,分析了熔体的过热温度、坩埚侧面强化换热以及坩埚加速旋转(ACRT)等因素对结晶界面的形态和晶体组分偏析的影响,结果表明:当熔体的过热温度减小时,熔体中自然对流的强度显著降低,固液界面的凹陷深度有所增加,晶体的轴向等浓度区显著加长,而晶体组分的径向偏析明显增大.坩埚的侧面强化换热增加了自然对流强度,也增大了固液界面的凹陷,但是对溶质成分的偏析影响较小.坩埚加速旋转引起的强迫对流强度远大于自然对流,显著增大了固液界面的凹陷,使熔体中的溶质分布成为均一的浓度场,显著减小了晶体组分的径向偏析,增加了晶体组分的轴向偏析.
语种	中文
出版者	材料研究学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/267]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘俊成,谷智,介万奇. 垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CYJB200306014&dbname=CJFQ2003,2012, 2012.
APA	刘俊成,谷智,&介万奇.(2012).垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CYJB200306014&dbname=CJFQ2003.
MLA	刘俊成,et al."垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CYJB200306014&dbname=CJFQ2003 (2012).