温度梯度和生长速率对CdZnTe-VBM生长晶体的影响

CORC > 西北工业大学

	温度梯度和生长速率对CdZnTe-VBM生长晶体的影响
	刘俊成 ; 王佩 ; 郭喜平 ; 介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCQ200303008&dbname=CJFQ2003
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	溶质偏析传热传质晶体生长对流数值模拟
中文摘要	计算模拟了半导体材料CdZnTe垂直布里奇曼法(CdZnTe-VBM)单晶体生长过程,分析了炉膛温度梯度和坩埚移动速率对结晶界面形态和晶体内组份偏析的影响。计算结果表明炉膛温度梯度和生长速率的变化明显影响固-液界面前沿对流场的形态和强度。界面凹陷深度随着炉膛温度梯度的增加和生长速率减小而减小。炉膛温度梯度的增加和生长速率的减小虽然均能有效的减小径向偏析,但却增加轴向偏析,减小轴向等浓度区的长度。
语种	中文
出版者	功能材料与器件学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/265]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘俊成,王佩,郭喜平,等. 温度梯度和生长速率对CdZnTe-VBM生长晶体的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCQ200303008&dbname=CJFQ2003,2012, 2012.
APA	刘俊成,王佩,郭喜平,&介万奇.(2012).温度梯度和生长速率对CdZnTe-VBM生长晶体的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCQ200303008&dbname=CJFQ2003.
MLA	刘俊成,et al."温度梯度和生长速率对CdZnTe-VBM生长晶体的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCQ200303008&dbname=CJFQ2003 (2012).