ZnSe多晶料预处理原理与方法

CORC > 西北工业大学

	ZnSe多晶料预处理原理与方法
	刘长友 ; 介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLDB200805004&dbname=CJFQ2008
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	硒化锌多晶提纯非化学计量比
中文摘要	以ZnSe多晶料的预处理为例,阐述了Ⅱ-Ⅵ族高熔点化合物的预处理方法与原理。生长单晶体,不仅仅要求原料有足够高的纯度,更为重要的是需要通过原料的预处理,获得具有合适化学比的高纯多晶原料。结合ZnSe材料的升华特性和杂质分布,对区域升华法处理工艺参数进行了分析,确定了源区温度应略低于1100℃,而沉积温度应高于900℃。选择较窄的升华-沉积温度范围更有利于杂质的去除。沉积区的温度越接近单晶生长温度,就越容易获得化学比较为合适的原料多晶。
语种	中文
出版者	材料导报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/212]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘长友,介万奇. ZnSe多晶料预处理原理与方法[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLDB200805004&dbname=CJFQ2008,2012, 2012.
APA	刘长友,&介万奇.(2012).ZnSe多晶料预处理原理与方法.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLDB200805004&dbname=CJFQ2008.
MLA	刘长友,et al."ZnSe多晶料预处理原理与方法".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLDB200805004&dbname=CJFQ2008 (2012).