沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响

CORC > 西北工业大学

	沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响
	于子龙 ; 陈福义 ; 介万奇 ; 闫晓红
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200805009&dbname=CJFQ2008
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	电沉积薄膜量子尺寸效应 CdSe
中文摘要	使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜。研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响,并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系。X-ray衍射结果表明:沉积电位在-600~-700mV之间均可得到立方相CdSe,晶粒尺寸随沉积电位降低而增大。原子力显微镜观察表明,沉积电位较高时,粒子聚集为块状或柱状,沉积电位较低时,粒子呈现不均匀团聚。透射光谱测试显示:在350~850nm波段范围内,随沉积电位降低,透过率降低,吸收边红移。所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大,且随晶粒尺寸的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应。
语种	中文
出版者	功能材料
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/209]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	于子龙,陈福义,介万奇,等. 沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200805009&dbname=CJFQ2008,2012, 2012.
APA	于子龙,陈福义,介万奇,&闫晓红.(2012).沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200805009&dbname=CJFQ2008.
MLA	于子龙,et al."沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200805009&dbname=CJFQ2008 (2012).