碲铟汞晶体的生长及其电学特性

CORC > 西北工业大学

	碲铟汞晶体的生长及其电学特性
	王领航 ; 董阳春 ; 介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX200707012&dbname=CJFQ2007
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	Hg3-3xIn2xTe3 晶体生长垂直布里奇曼法光电半导体材料近红外探测器
中文摘要	利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω.cm,载流子浓度为2.83×1013cm-3,载流子迁移率为4.6×102cm2/(V.s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.
语种	中文
出版者	半导体学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/194]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王领航,董阳春,介万奇. 碲铟汞晶体的生长及其电学特性[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX200707012&dbname=CJFQ2007,2012, 2012.
APA	王领航,董阳春,&介万奇.(2012).碲铟汞晶体的生长及其电学特性.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX200707012&dbname=CJFQ2007.
MLA	王领航,et al."碲铟汞晶体的生长及其电学特性".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX200707012&dbname=CJFQ2007 (2012).