ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

CORC > 西北工业大学

	ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究
	白大伟 ; 李焕勇 ; 介万奇 ; 李培森 ; 赵海涛
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200701012&dbname=CJFQ2007
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	Ⅱ-Ⅵ族化合物 ZnSe薄膜化学促进热壁外延法
中文摘要	本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。
语种	中文
出版者	人工晶体学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/187]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	白大伟,李焕勇,介万奇,等. ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200701012&dbname=CJFQ2007,2012, 2012.
APA	白大伟,李焕勇,介万奇,李培森,&赵海涛.(2012).ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200701012&dbname=CJFQ2007.
MLA	白大伟,et al."ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200701012&dbname=CJFQ2007 (2012).