Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的测量及分析

CORC > 西北工业大学

	Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的测量及分析
	王泽温 ; 介万奇 ; 李宇杰 ; 谷智
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200608014&dbname=CJFQ2006
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	Hg1-xMnxTe 范德堡法导电类型霍尔系数
中文摘要	采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型。通过理论分析对此现象进行了解释。分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因。对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量。
语种	中文
出版者	功能材料
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/177]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王泽温,介万奇,李宇杰,等. Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的测量及分析[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200608014&dbname=CJFQ2006,2012, 2012.
APA	王泽温,介万奇,李宇杰,&谷智.(2012).Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的测量及分析.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200608014&dbname=CJFQ2006.
MLA	王泽温,et al."Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的测量及分析".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200608014&dbname=CJFQ2006 (2012).