Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术

CORC > 西北工业大学

	Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术
	介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGJB200105002&dbname=CJFQ2001
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	晶体生长过程 Ⅱ-Ⅵ族化合物理论与技术体单晶生长表面形貌 CdZnTe 均匀性移动加热器法薄膜外延晶体生长技术
中文摘要	本文首先分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物由于其物理化学性质决定的晶体生长的难度及其需要解决的主要问题。进而结合Hg_(1-x)Cd_xTe、Hg_(1-x)Mn_xTe、Cd(1-x)Zn_xTe等典型Ⅱ-Ⅵ族化合物,概述了体单晶和薄膜外延两个方面晶体生长技术的进展。
语种	中文
出版者	中国基础科学
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/128]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	介万奇. Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGJB200105002&dbname=CJFQ2001,2012, 2012.
APA	介万奇.(2012).Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGJB200105002&dbname=CJFQ2001.
MLA	介万奇."Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGJB200105002&dbname=CJFQ2001 (2012).