Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术 | |
介万奇 | |
刊名 | http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGJB200105002&dbname=CJFQ2001
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2012-04-24 ; 2012-04-24 | |
关键词 | 晶体生长过程 Ⅱ-Ⅵ族化合物 理论与技术 体单晶生长 表面形貌 CdZnTe 均匀性 移动加热器法 薄膜外延 晶体生长技术 |
中文摘要 | 本文首先分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物由于其物理化学性质决定的晶体生长的难度及其需要解决的主要问题。进而结合Hg_(1-x)Cd_xTe、Hg_(1-x)Mn_xTe、Cd(1-x)Zn_xTe等典型Ⅱ-Ⅵ族化合物,概述了体单晶和薄膜外延两个方面晶体生长技术的进展。 |
语种 | 中文 |
出版者 | 中国基础科学 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/128] ![]() |
专题 | 西北工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 介万奇. Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGJB200105002&dbname=CJFQ2001,2012, 2012. |
APA | 介万奇.(2012).Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGJB200105002&dbname=CJFQ2001. |
MLA | 介万奇."Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGJB200105002&dbname=CJFQ2001 (2012). |
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