MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择

CORC > 西北工业大学

	MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择
	王跃 ; 宋炳文 ; 刘朝旺 ; 王静宇 ; 杨玉林 ; 介万奇 ; 周尧和
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG200004006&dbname=CJFQ2000
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	MOCVD 碲镉汞薄膜衬底材料生长工艺
中文摘要	金属有机化合物汽相沉积 (MOCVD)技术是制备用于红外焦平面阵列 (IRFPA)的高质量碲镉汞 (HgCdTe)薄膜材料的重要手段。文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺 (IMP)等因素在MOCVD外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理 ,并选择合适的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。
语种	中文
出版者	半导体光电
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/108]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王跃,宋炳文,刘朝旺,等. MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG200004006&dbname=CJFQ2000,2012, 2012.
APA	王跃.,宋炳文.,刘朝旺.,王静宇.,杨玉林.,...&周尧和.(2012).MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG200004006&dbname=CJFQ2000.
MLA	王跃,et al."MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG200004006&dbname=CJFQ2000 (2012).