红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀 | |
李宇杰 ; 刘晓华 ; 介万奇 | |
刊名 | http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX199909005&dbname=CJFQ1999
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2012-04-24 ; 2012-04-24 | |
关键词 | 蚀坑密度 腐蚀液 位错线 沉淀相 体材料 溶解速度 重铬酸钾 红外 腐蚀时间 腐蚀机理 |
中文摘要 | 窄禁带、含Hg 的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大,蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数.本文从腐蚀机理出发,研究了HgMnTe 的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgMnTe 的腐蚀液.从实验结果来看,该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷,如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等,而且腐蚀质量高.以此为基础,我们还分析了ACRT 和Bridgm an 两种方法生长的HgMnTe 晶体中缺陷的形貌特点及分布情况 |
语种 | 中文 |
出版者 | 半导体学报 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/98] ![]() |
专题 | 西北工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李宇杰,刘晓华,介万奇. 红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX199909005&dbname=CJFQ1999,2012, 2012. |
APA | 李宇杰,刘晓华,&介万奇.(2012).红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX199909005&dbname=CJFQ1999. |
MLA | 李宇杰,et al."红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX199909005&dbname=CJFQ1999 (2012). |
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