红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀

CORC > 西北工业大学

	红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀
	李宇杰 ; 刘晓华 ; 介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX199909005&dbname=CJFQ1999
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	蚀坑密度腐蚀液位错线沉淀相体材料溶解速度重铬酸钾红外腐蚀时间腐蚀机理
中文摘要	窄禁带、含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，研究了ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀工艺，探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀液．从实验结果来看，该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷，如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等，而且腐蚀质量高．以此为基础，我们还分析了ＡＣＲＴ和Ｂｒｉｄｇｍａｎ两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ晶体中缺陷的形貌特点及分布情况
语种	中文
出版者	半导体学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/98]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李宇杰,刘晓华,介万奇. 红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX199909005&dbname=CJFQ1999,2012, 2012.
APA	李宇杰,刘晓华,&介万奇.(2012).红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX199909005&dbname=CJFQ1999.
MLA	李宇杰,et al."红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX199909005&dbname=CJFQ1999 (2012).