Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究

CORC > 西北工业大学

	Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究
	刘伟华 ; 介万奇 ; 王涛 ; 徐凌燕 ; 徐亚东
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200904000&dbname=CJFQ2009
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	Cd0.9Zn0.1Te Al掺杂霍尔测试红外透过率
中文摘要	采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条件下,Al掺杂晶体获得了6×109~2×1010Ω.cm的高电阻率,呈弱p或弱n型导电;In掺杂晶体电阻率在105Ω.cm数量级,呈n型导电;Al掺杂晶体在波数4000~500cm-1范围内红外透过率平直且较高,而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低,在波数1250cm-1处降至零。采用Al掺杂晶片制备的探测器对241Am 59.54keV射线的能量分辨率为14%,表明所生长Al掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求。
语种	中文
出版者	功能材料
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/78]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘伟华,介万奇,王涛,等. Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200904000&dbname=CJFQ2009,2012, 2012.
APA	刘伟华,介万奇,王涛,徐凌燕,&徐亚东.(2012).Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200904000&dbname=CJFQ2009.
MLA	刘伟华,et al."Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200904000&dbname=CJFQ2009 (2012).