碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究

CORC > 西北工业大学

	碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究
	罗林 ; 介万奇 ; 孙叶 ; 王涛 ; 傅莉
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL201010053&dbname=CJFQ2010
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	碲铟汞腐蚀坑位错电子背散射衍射双交滑移
中文摘要	通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究。实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角。进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释。
语种	中文
出版者	功能材料
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/69]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	罗林,介万奇,孙叶,等. 碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL201010053&dbname=CJFQ2010,2012, 2012.
APA	罗林,介万奇,孙叶,王涛,&傅莉.(2012).碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL201010053&dbname=CJFQ2010.
MLA	罗林,et al."碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL201010053&dbname=CJFQ2010 (2012).