化学气相沉积法的沉积速率对硅烷浓度的依赖

CORC > 北京大学

	化学气相沉积法的沉积速率对硅烷浓度的依赖
	张蔷 ; 张晓林 ; 张帆 ; 奚中和
	2012-04-25 ; 2012-04-25
会议名称	中国山东青岛中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会
关键词	化学气相沉积共振转移沉积速率
中文摘要	用PECVD(plasm enhanced chem icaldeposition)法制备非晶硅材料时,使用Ar气稀释SiH4,在SiH4浓度为10%左右时对于沉积速率有较大的提高,同时严重影响薄膜质量,本文分析这些影响的微观机理。
会议录	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZKDZ199708001093&dbname=CPFD2011
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211010/5218]
专题	北京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张蔷,张晓林,张帆,等. 化学气相沉积法的沉积速率对硅烷浓度的依赖[C]. 见:中国山东青岛中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会.