CORC  > 北京工业大学
ADP晶体快速生长及其相关性能研究
王希敏 ; 许实 ; 张克从
2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词磷酸二氢铵晶体 非线性光学晶体 快速生长 溶液晶体生长 溶质边界层 光学性能
中文摘要根据减小晶体生长溶质边界层厚度(δ_c)和加快生长界面“反应”速率的原理,研究了溶液的搅拌速度、溶液的pH值和生长温度等对磷酸二氢铵(ADP)晶体的最大透明生长速度的影响,快速地生长出晶体。对生长的晶体的透过率、消光比和激光损伤阈值进行了测定。实验结果表明,快速生长的ADP晶体与传统的降温法生长的晶体相比,其光学质量并无降低。
原文出处http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT401.006&dbname=CJFQ1994
内容类型期刊论文
源URL[http://hdl.handle.net/123456789/19505]  
专题北京工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王希敏,许实,张克从. ADP晶体快速生长及其相关性能研究[J],2012, 2012.
APA 王希敏,许实,&张克从.(2012).ADP晶体快速生长及其相关性能研究..
MLA 王希敏,et al."ADP晶体快速生长及其相关性能研究".(2012).
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