ADP晶体快速生长及其相关性能研究 | |
王希敏 ; 许实 ; 张克从 | |
2012-04-24 ; 2012-04-24 | |
关键词 | 磷酸二氢铵晶体 非线性光学晶体 快速生长 溶液晶体生长 溶质边界层 光学性能 |
中文摘要 | 根据减小晶体生长溶质边界层厚度(δ_c)和加快生长界面“反应”速率的原理,研究了溶液的搅拌速度、溶液的pH值和生长温度等对磷酸二氢铵(ADP)晶体的最大透明生长速度的影响,快速地生长出晶体。对生长的晶体的透过率、消光比和激光损伤阈值进行了测定。实验结果表明,快速生长的ADP晶体与传统的降温法生长的晶体相比,其光学质量并无降低。 |
原文出处 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT401.006&dbname=CJFQ1994 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/19505] ![]() |
专题 | 北京工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王希敏,许实,张克从. ADP晶体快速生长及其相关性能研究[J],2012, 2012. |
APA | 王希敏,许实,&张克从.(2012).ADP晶体快速生长及其相关性能研究.. |
MLA | 王希敏,et al."ADP晶体快速生长及其相关性能研究".(2012). |
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