| 掺质TGS晶体生长机制的探索研究 | |
| 王希敏 ; 张春林 ; 张克从 ; 王民 | |
| 2012-04-24 ; 2012-04-24 | |
| 关键词 | 掺质，TGS晶体，生长机制，溶液晶体生长，生长速率 |
| 中文摘要 | 本文采用水溶液降温法生长了６种掺质ＴＧＳ晶体，掺质分别为有机小分子化合物：甲酸、乙酸、丙酸、丙醇、１，２－丙二醇和硫脲。研究了此６种掺质ＴＧＳ晶体的生长形态，Ｘ－射线粉末衍射和红外光谱以及主要的热释电性能参数等。最后从氢键形成的观点出发，探索研究了掺质ＴＧＳ晶体的生长机制。 |
| 原文出处 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT504.003&dbname=CJFQ1995 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/19472]  |
| 专题 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王希敏,张春林,张克从,等. 掺质TGS晶体生长机制的探索研究[J],2012, 2012. |
| APA | 王希敏,张春林,张克从,&王民.(2012).掺质TGS晶体生长机制的探索研究.. |
| MLA | 王希敏,et al."掺质TGS晶体生长机制的探索研究".(2012). |
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