FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究 | |
秦曼 ; 郑青 ; 马重芳 ; 雷道亨 | |
2012-04-24 ; 2012-04-24 | |
关键词 | 射流冲击,模拟电子芯片,对流换热 |
中文摘要 | 以最新微电子设备冷却剂FC-72为工质,实验研究了自由和浸没情况下,圆形射流冲击5mm×5mm模拟电子芯片的局部对流换热情况。喷嘴直径d=0.987mm,Re数范围为3488~42644。测定了自由和侵没情况下驻点换热及换热系数的径向分布,讨论了雷诺数、喷嘴一传热面间距的影响。首次发现FC—72自由射流在高Re数下,随着喷射间距的增加,驻点换热得到加强,而浸没射流随喷射间距的增大,驻点换热出现非单调性变化;给出了喷射间距z/d=4时驻点换热系数的关联式,并与其它工质的已有结果进行了比较;对换热系数径向分布的研究表明,与自由射流不同,浸没射流分布曲线上明显出现由层流向湍流过渡所引起的二次峰值。 |
原文出处 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GCRB601.015&dbname=CJFQ1996 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/19430] |
专题 | 北京工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦曼,郑青,马重芳,等. FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究[J],2012, 2012. |
APA | 秦曼,郑青,马重芳,&雷道亨.(2012).FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究.. |
MLA | 秦曼,et al."FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究".(2012). |
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