CORC  > 北京工业大学
FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究
秦曼 ; 郑青 ; 马重芳 ; 雷道亨
2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词射流冲击,模拟电子芯片,对流换热
中文摘要以最新微电子设备冷却剂FC-72为工质,实验研究了自由和浸没情况下,圆形射流冲击5mm×5mm模拟电子芯片的局部对流换热情况。喷嘴直径d=0.987mm,Re数范围为3488~42644。测定了自由和侵没情况下驻点换热及换热系数的径向分布,讨论了雷诺数、喷嘴一传热面间距的影响。首次发现FC—72自由射流在高Re数下,随着喷射间距的增加,驻点换热得到加强,而浸没射流随喷射间距的增大,驻点换热出现非单调性变化;给出了喷射间距z/d=4时驻点换热系数的关联式,并与其它工质的已有结果进行了比较;对换热系数径向分布的研究表明,与自由射流不同,浸没射流分布曲线上明显出现由层流向湍流过渡所引起的二次峰值。
原文出处http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GCRB601.015&dbname=CJFQ1996
内容类型期刊论文
源URL[http://hdl.handle.net/123456789/19430]  
专题北京工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
秦曼,郑青,马重芳,等. FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究[J],2012, 2012.
APA 秦曼,郑青,马重芳,&雷道亨.(2012).FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究..
MLA 秦曼,et al."FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究".(2012).
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace