| Ta_2O_5基介电陶瓷的激光烧结改性研究 | |
| 季凌飞 ; 王伟 ; 于振龙 ; 蒋毅坚 | |
| 2012-04-13 ; 2012-04-13 | |
| 关键词 | 介电陶瓷:5958,激光烧结:4723,Ta_2O_5:4054,改性研究:3690,北京工业大学:1894,激光辐照:1787,激光技术:1290,热处理过程:1185,介电性能:1078,烧结工艺:1046 |
| 中文摘要 | 1995年,AT&T Bell实验室的Cava等通过在Ta2O5陶瓷中掺入8 mol%的TiO2,将该陶瓷的相对介电常数从36提高到126(1MHz,室温),使得Ta2O5基材料在电容器和DRAM存储介质等方面展示出广阔的应用前景。激光辐照能够实现非平衡的热处理过程,易使陶瓷形成传统烧结工艺所难以实现的非平衡亚稳相,从而具备新的物理功能。本文采用大功率CO2激光对Ta2O5基陶瓷进行了烧结改性的系统研究,重点以 |
| 会议网址 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGCZ200411001598&dbname=CPFD2004 |
| 会议录出版者 | 中国北京 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/16924]  |
| 专题 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季凌飞,王伟,于振龙,等. Ta_2O_5基介电陶瓷的激光烧结改性研究[C]. 见:.http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGCZ200411001598&dbname=CPFD2004. |
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