| 蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响 | |
| 曾兆权 ; 王勇 ; 杜小龙 ; 梅增霞 ; 孔祥和 ; 贾金锋 ; 薛其坤 ; 张泽 | |
| 2012-04-13 ; 2012-04-13 | |
| 关键词 | Ga浸润层 蓝宝石 极性 缺陷密度 ZnO RF-MBE RHEED HRXRD TEM CBED |
| 中文摘要 | 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属Ga薄层的方法生长出了高质量的ZnO单晶薄膜. 这个Ga薄层的引入完全抑制了导致ZnO薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成. 反射式高能电子衍射(RHEED)原位观察以及高分辨X射线衍射(HRXRD)、透射式电子显微(TEM)和会聚束电子衍射(CBED)测试表明, 该薄膜具有很高的晶体质量和单一Zn极性. 详细讨论了Ga浸润层在ZnO的极性选择以及缺陷密度的减少等方面所起的作用, 并通过一个双层Ga原子模型分析了单一极性生长的机理. |
| 原文出处 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=JGXK200403005&dbname=CJFQ2004 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/16764]  |
| 专题 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾兆权,王勇,杜小龙,等. 蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响[J],2012, 2012. |
| APA | 曾兆权.,王勇.,杜小龙.,梅增霞.,孔祥和.,...&张泽.(2012).蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响.. |
| MLA | 曾兆权,et al."蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响".(2012). |
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