| 激光法合成高介电系数陶瓷Ta_2O_5-TiO_2的TEM研究 | |
| 刘显强 ; 韩晓东 ; 张泽 ; 季凌飞 ; 蒋毅坚 | |
| 2012-04-13 ; 2012-04-13 | |
| 关键词 | 激光法 高介电系数 陶瓷 |
| 中文摘要 | 半导体工业致力于在单位面积/体积上铺满更多的结构以期得到更高密度、更快运算速度的光电子元器件,而高介电系数物质可满足上述目的。Ta2O5系氧化物是重要的高介电系数物质候选材料之一。本研究用电子显微学的方法研究了激光法合成的高介电系数陶瓷Ta2O5-TiO2晶体点阵结构:a=0.391 nm,b=0.384 nm,c=1.863 nm,α-83.8°,β=95.9°,γ=88.5°。这种结构沿[110]方向在(110)面调制,调制周期为:2.48 nm。本研究认为:这种调制结构正是导致Ta2O5-TiO2陶瓷介电系数大幅度提高的原因。 |
| 会议网址 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGCZ200411002010&dbname=CPFD2004 |
| 会议录出版者 | 中国北京 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/16760]  |
| 专题 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘显强,韩晓东,张泽,等. 激光法合成高介电系数陶瓷Ta_2O_5-TiO_2的TEM研究[C]. 见:.http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGCZ200411002010&dbname=CPFD2004. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论