| A l互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性 | |
| 王俊忠 ; 张隐奇 ; 吉元 | |
| 2012-04-13 ; 2012-04-13 | |
| 关键词 | Al互连线 EBSD 晶粒结构 电徙动 |
| 中文摘要 | 采用电子背散射衍射技术(EBSD),测量了微电子器件中A l互连线的晶粒结构、晶体学取向和晶界特征。A l互连线制备及退火工艺影响着互连线的显微结构和电徙动中值寿命(MTF)。结果表明,退火后晶粒明显长大,晶粒呈近竹节结构,形成很强的{111}织构,并使小角度晶界增加,从而提高了A l互连线的电徙动可靠性。 |
| 原文出处 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZTSX200504006&dbname=CJFQ2005 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/16642]  |
| 专题 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊忠,张隐奇,吉元. A l互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性[J],2012, 2012. |
| APA | 王俊忠,张隐奇,&吉元.(2012).A l互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性.. |
| MLA | 王俊忠,et al."A l互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性".(2012). |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论