| 不同磁场对大直径单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分析(英文) | |
| 宇慧平 ; 隋允康 ; 安国平 | |
| 2012-04-13 ; 2012-04-13 | |
| 关键词 | 提拉法 单晶硅 磁场 紊流模型 |
| 中文摘要 | 本文采用紊流模型对大直径单晶硅在垂直磁场及勾形磁场作用时熔体内动量及热量输运作了数值模拟。采用有限体积法离散控制方程,采用SIMPLE((Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场。对无磁场、垂直磁场及勾形磁场作用下熔体内的传输特性进行了比较。数值计算结果表明,垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效应。垂直磁场强度过大,不利于晶体生长。随着勾形磁场强度的增加,熔体内子午面上的流动减弱,并且紊流强度也相应降低。 |
| 原文出处 | http://guest.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200805008&dbname=CJFQ2008 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/11057]  |
| 专题 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇慧平,隋允康,安国平. 不同磁场对大直径单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分析(英文)[J],2012, 2012. |
| APA | 宇慧平,隋允康,&安国平.(2012).不同磁场对大直径单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分析(英文).. |
| MLA | 宇慧平,et al."不同磁场对大直径单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分析(英文)".(2012). |
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