| 国际半导体技术发展路线图(ITRS)2012版综述(4) | |
| 郭新军 ; 解沛轩 | |
| 2016-03-30 ; 2016-03-30 | |
| 关键词 | TN307 |
| 中文摘要 | <正>3.15提高成品率根据2011年版路线图重新划定的章节范围,"提高成品率"一章目前包括"晶圆环境与污染控制"(WECC)和"鉴定、检测和分析"(CIA)两个子章节。因此,提高成品率的活动都集中在这两个方面。根据表YE2,关键挑战在原则上保持不变。只是在某些情况下,为了表达清晰而有措辞上的修改。短期内在大于16 nm尺度上的最重要的关键挑战估计是小产量限制缺陷检测及其免滋扰识别。探测和 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.lib.tsinghua.edu.cn/ir/item.do?handle=123456789/147115]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭新军,解沛轩. 国际半导体技术发展路线图(ITRS)2012版综述(4)[J],2016, 2016. |
| APA | 郭新军,&解沛轩.(2016).国际半导体技术发展路线图(ITRS)2012版综述(4).. |
| MLA | 郭新军,et al."国际半导体技术发展路线图(ITRS)2012版综述(4)".(2016). |
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